发明名称 超细间距焊盘的叠层倒装芯片封装结构及底填充制造方法
摘要 本发明公开了一种超细间距焊盘的叠层倒装芯片封装结构及其制造方法。根据本发明的实施例的叠层倒装芯片封装结构包括:基板,基板上设置有多个焊盘;上下堆叠的多个芯片,每个芯片上均设置有焊盘;多个导电柱,设置在芯片与基板之间,所述多个导电柱中的一部分上下堆叠在一起,基板焊盘与芯片焊盘之间通过所述导电柱进行电连接。底部填充材料填充在各个芯片之间的间隙以及芯片与基板之间的间隙中,并包覆了各层焊料和导电柱。使用根据本发明的实施例的超细间距焊盘的倒装芯片叠层封装结构,可同时满足上下叠层倒装芯片的超细间距焊盘的要求。
申请公布号 CN102593110B 申请公布日期 2015.07.15
申请号 CN201210012062.5 申请日期 2012.01.05
申请人 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 发明人 刘一波
分类号 H01L25/065(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L25/065(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 韩明星;刘奕晴
主权项 一种叠层倒装芯片封装结构,其中,所述叠层倒装芯片封装结构包括:基板,基板上设置有多个焊盘;上下堆叠的多个芯片,每个芯片上均设置有焊盘,各层芯片均包含有间距小于150um的焊盘;多个导电柱,设置在芯片的焊盘与基板之间,基板焊盘与芯片焊盘之间通过所述多个导电柱进行电连接,所述多个导电柱中的一部分上下堆叠在一起,最上层的芯片通过多层导电柱与基板电连接;底部填充材料,填充在各个芯片之间的间隙中,其中,相互堆叠的导电柱之间通过焊料进行连接,在该封装结构的用于各层导电柱之间连接以及用于导电柱与基板焊盘连接的所有焊料中,在与各层芯片直接连接的导电柱下端所设的焊料的熔点是最低的。
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