用于检测极紫外掩模基板上的缺陷的检验系统与方法

摘要

所提出的是用于检验未图案化的对象(诸如极紫外(EUV)掩模基板)以检验表面缺陷(包括非常小的缺陷)的新颖的检验方法与系统。缺陷可包括各种相位对象，诸如仅约1纳米高度的凸起和凹陷、以及小微粒。诸如用重新设置的深度UV检验系统，在小于约250nm的波长处执行检验。部分相干西格玛被设定在0.15到0.5之间。通过使用例如在一个正的聚焦深度(DOF)和一个负的DOF处的一个或多个散焦检验过程可找到相位缺陷。在特定实施例中，DOF在约-1到-3和/或+1到+3之间。可结合多个检验过程的结果来区分缺陷类型。检验方法可涉及应用匹配过滤器、阈值、和/或修正因子来改进信号噪声比。

主权项

用于在未图案化的物体表面上检验相位缺陷和/或微粒的方法，所述方法包括：产生具有小于250纳米波长的照明光束；将所述照明光束穿过具有在0.15到0.5之间的部分相干西格玛的一组光学元件；将所述照明光束以预确定的散焦范围聚焦在所述未图案化的物体表面上；用所述照明光束以预确定的散焦范围检验所述未图案化物体的表面，从而经反射的光束从所述表面反射出来；以及基于处于预确定的散焦范围的所述经反射的光束，构建并分析结果图像来标识所述相位缺陷，从而区分凸起缺陷与凹陷缺陷。