低偏角碳化硅同质外延材料的制作方法

摘要

一种低偏角碳化硅同质外延材料的制作方法，包括如下步骤：对低偏角的衬底进行清洗并放入低压CVD设备的生长室，并将反应室抽真空；设定设备反应室压强，并向反应室通入H₂和刻蚀HCl气流，开始升温；加热到刻蚀温度，对衬底进行刻蚀，去掉表面的损伤和氧化层；升高反应室温度，达到预生长温度时，通入生长气体和掺杂气体，在衬底上进行缓冲层生长；调整反应室的生长气体和掺杂气体流量，在缓冲层上进行SiC外延层生长；生长结束后，关闭反应室的生长气体、掺杂气体和刻蚀HCl气体，并停止加热，在H₂氛围中冷却。本发明可以解决三角缺陷和台阶聚集问题，得到表面质量良好、无BPD缺陷的SiC外延层。

主权项

一种低偏角碳化硅同质外延材料的制作方法，包括如下步骤：步骤1：对低偏角的衬底进行清洗并放入低压CVD设备的生长室，并将反应室抽真空；步骤2：设定设备反应室压强，并向反应室通入H₂和刻蚀HCl气流，开始升温；步骤3：加热到刻蚀温度，对衬底进行刻蚀，去掉表面的损伤和氧化层；步骤4：升高反应室温度，达到预生长温度时，通入生长气体和掺杂气体，在衬底上进行缓冲层生长；步骤5：调整反应室的生长气体和掺杂气体流量，在缓冲层上进行SiC外延层生长；步骤6：生长结束后，关闭反应室的生长气体、掺杂气体和刻蚀HCl气体，并停止加热，在H₂氛围中冷却。