一种鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的形成方法，在衬底上形成鳍式场效应晶体管基体，包括形成源区和漏区以及并列位于其间的第一、第二鳍形沟道区；形成第一氧化物层，将所述基体覆盖；将第二鳍形沟道区侧的第一氧化物层去除；形成第二氧化物层，将所述基体覆盖；形成一横跨第一、第二鳍形沟道区的栅极结构，去除栅极结构底部以外区域的氧化物层；将栅极结构在第一、第二鳍形沟道区之间分离，形成第一、第二栅极结构，从而在同一鳍式场效应晶体管器件上可以实现在两种不同的工作电压下工作，并可获得不同的器件性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述衬底上形成鳍式场效应晶体管基体，包括形成相对设置的源区和漏区，以及并列位于所述源区和漏区之间的第一、第二鳍形沟道区；步骤S02：在所述衬底上形成一第一氧化物层，将所述鳍式场效应晶体管基体覆盖；步骤S03：自所述第一、第二鳍形沟道区之间起，将所述第二鳍形沟道区侧的所述第一氧化物层去除；步骤S04：在所述衬底上形成一第二氧化物层，将所述鳍式场效应晶体管基体覆盖；步骤S05：形成一横跨所述第一、第二鳍形沟道区的栅极，并去除所述栅极底部以外区域的所述氧化物层，然后，在所述栅极两侧形成侧壁；步骤S06：使所述栅极和侧壁在所述第一、第二鳍形沟道区之间相分离，以形成第一、第二栅极结构。