| 发明名称 | 一种多晶硅刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅刻蚀方法，涉及半导体芯片制造工艺技术领域。其中，多晶硅刻蚀方法包括：在具有高台阶图形层的硅片上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成一图形化的光刻胶掩膜；将具有光刻胶掩膜的所述硅片与含氟气体的等离子体发生反应，对多晶硅层进行刻蚀。利用六氟化硫SF<sub>6</sub>的各向同性，在Lam490上不需要增加过量的SF<sub>6</sub>，就能够将高台阶处的多晶硅刻蚀干净，同时利用三氟甲烷CHF<sub>3</sub>气体降低光刻胶下的图形尺寸的损失，提高产品的良率和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104779151A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201410014458.2 | 申请日期 | 2014.01.13 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李方华 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;黄灿 |
| 主权项 | 一种多晶硅刻蚀方法，其特征在于，包括：在具有高台阶图形层的硅片上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成一图形化的光刻胶掩膜；将具有光刻胶掩膜的所述硅片与含氟气体的等离子体发生反应，对多晶硅层进行刻蚀。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室 | ||