发明名称 |
固化性聚倍半硅氧烷化合物、其制造方法、固化性组合物、固化物、以及固化性组合物等的使用方法 |
摘要 |
本发明涉及固化性聚倍半硅氧烷化合物、其制造方法、固化性组合物、将该组合物固化而成的固化物、以及将该组合物等用作光学元件固定剂的方法,该固化性聚倍半硅氧烷化合物具有式R<sup>1</sup>SiO<sub>3/2</sub>(R<sup>1</sup>表示可以具有取代基的碳原子数1~10烷基、或者可以具有取代基的芳基。)所示结构单元中的至少一种,在<sup>29</sup>Si-NMR波谱中,第1峰顶存在于-65ppm以上且不足-55ppm的区域,第2峰顶存在于-73ppm以上且不足-65ppm的区域,第3峰顶存在于-82ppm以上且不足-73ppm的区域,第1峰的积分值相对于第1峰的积分值和第2峰的积分值和第3峰的积分值的合计为大于0且不足10%。根据本发明,提供能够获得耐热性优异且具有高粘接力的固化物的固化性聚倍半硅氧烷化合物、其制造方法、固化性组合物、将该组合物固化而成的固化物、以及将该组合物等用作光学元件固定剂的方法。 |
申请公布号 |
CN104781309A |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201380057239.6 |
申请日期 |
2013.10.30 |
申请人 |
琳得科株式会社 |
发明人 |
松井优美;樫尾干广 |
分类号 |
C08G77/04(2006.01)I;C08K5/5415(2006.01)I;C08L83/04(2006.01)I |
主分类号 |
C08G77/04(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
高旭轶;刘力 |
主权项 |
固化性聚倍半硅氧烷化合物,其具有式R<sup>1</sup>SiO<sub>3</sub><sub>/2</sub>所示结构单元中的至少一种,式中,R<sup>1</sup>表示可以具有取代基的碳原子数1~10的烷基、或者可以具有取代基的芳基,其特征在于,在<sup>29</sup>Si核磁共振波谱中,第1峰顶存在于‑65ppm以上且不足‑55ppm的区域,第2峰顶存在于‑73ppm以上且不足‑65ppm的区域,第3峰顶存在于‑82ppm以上且不足‑73ppm的区域,第1峰的积分值(P1)相对于第1峰的积分值(P1)和第2峰的积分值(P2)和第3峰的积分值(P3)的合计为大于0且不足10%。 |
地址 |
日本东京都 |