| 摘要 |
【課題】結晶構造のばらつきが小さい高品質の&bgr;−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板を提供する。【解決手段】一実施の形態において、&bgr;−Ｇａ２Ｏ３系単結晶からなる&bgr;−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基であって、主面が&bgr;−Ｇａ２Ｏ３系単結晶のｂ軸に平行な面であり、前記主面の中心を通る前記主面上の任意の直線上の&Dgr;ωの最大値が０．７２６４以下である&bgr;−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１を提供する。&Dgr;ωは、前記直線上における、Ｘ線ロッキングカーブのピーク位置におけるＸ線の入射方向と前記主面のなす角度をωｓとして、前記ωｓとその測定位置との関係を表す曲線の最小二乗法による線形近似により求められる近似直線上の角度をωａとしたときの、前記測定位置の各位置における前記ωｓから前記ωａを減じた値の、最大値と最小値との差である。【選択図】図６ |
