| 发明名称 | 一种制备高质量石墨单晶的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备高质量石墨单晶的方法。采用共熔-析晶法，将过渡金属或过渡金属的化合物，与碳原料均匀混和后升温加热形成共熔体，再经过降温后得到金属、石墨两相分离体，经机械分离后即得高性能的导热石墨。本发明制得的高质量石墨单晶结晶度高，其晶粒尺寸可达到Lc(002) = 100 nm, 晶面间距d(002) = 0.335 nm，均优于高定向热解石墨的指标。 | ||
| 申请公布号 | CN104775147A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201510158112.4 | 申请日期 | 2015.04.03 |
| 申请人 | 余柯涵 | 发明人 | 余柯涵;韦玮;吕鹏 |
| 分类号 | C30B3/00(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人 | 邹伟红;朱显国 |
| 主权项 | 一种制备高质量石墨单晶的方法，其特征在于，采用共熔—析晶法，将过渡金属或过渡金属的化合物，与碳原料均匀混和后升温加热形成共熔体，再经过降温后得到金属、石墨两相分离体，经机械分离后即得高性能的导热石墨。 | ||
| 地址 | 210023 江苏省南京市亚东新城区文苑路9号 | ||