| 发明名称 | 一种GaN外延废片回收的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN外延废片回收的方法，包括下述步骤：步骤二：把所述步骤一中处理的GaN外延废片浸泡到酸溶液或碱溶液中，然后加热酸溶液或碱溶液用来腐蚀GaN外延废片表面；步骤三：把所述步骤二中腐蚀完后的GaN外延废片取出，然后用清洗液清洗GaN外延废片表面。本发明所述GaN外延废片回收的方法不会抛弃大量的GaN外延废片，不仅节省了大量的生产成本，而且不会污染环境，做到了节能环保的作用。 | ||
| 申请公布号 | CN104779326A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201510187404.0 | 申请日期 | 2015.04.20 |
| 申请人 | 西安中为光电科技有限公司 | 发明人 | 李培咸;孟锡俊;王旭明;陈勘;刘大为;张翼;郭迟;黄兆斌;廉大桢;李建婷;李玮霖;张阳 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京鼎宏元正知识产权代理事务所(普通合伙) 11458 | 代理人 | 李波;武媛 |
| 主权项 | 一种GaN外延废片回收的方法，包括：第一步骤(S10)：将GaN外延废片浸泡到腐蚀溶液中以腐蚀所述GaN外延废片表面；第二步骤(S20)：利用清洗液来清洗所述第一步骤中经过腐蚀的GaN外延废片。 | ||
| 地址 | 710000 陕西省西安市电子城电子西街3号201号厂房二层 | ||