| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法以及电源 | ||
| 摘要 | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电源。一种化合物半导体器件，包括：衬底；形成在衬底上的第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层上的第二化合物半导体层；以及形成在第一化合物半导体层上的上电极，其中在第一化合物半导体层的位于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以使得具有随着距上电极的距离增加而降低的空穴浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN104779140A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201510178598.8 | 申请日期 | 2012.02.23 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 冈本直哉 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;董文国 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的第一化合物半导体层；在所述第一化合物半导体层上形成的第二化合物半导体层；以及在所述第一化合物半导体层上形成的上电极，其中在所述第一化合物半导体层的位于所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以具有随着距所述上电极的距离的增加而降低的空穴浓度，其中所述第二化合物半导体层由含有铝的化合物半导体构成，并且所述第二化合物半导体层的铝含量随着距所述上电极的距离的增加而逐渐减小。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||