MOS结构及其制作方法、以及制作金属硅化物的方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种在MOS结构中制作金属硅化物方法，用以解决现有技术中在栅区、源区和漏区上形成的金属硅化物的电阻值比较大的问题。本发明实施例在MOS结构中制作金属硅化物方法，包括：在第一温度条件下，在形成有栅区、源区、漏区和绝缘区的衬底上沉积金属；使位于栅区、源区和漏区上金属分别与栅区、源区和漏区硅材料发生反应生成金属硅化物；其中第一温度的取值不小于金属与栅区、源区和漏区硅材料发生反应的温度值；对衬底进行第一次快速热退火处理；对经过第一次快速热退火处理的衬底进行清洗处理；对经过清洗处理的衬底进行第二次快速热退火处理。本发明实施例最终生成的金属硅化物的电阻值比较小。

主权项

一种在MOS结构中制作金属硅化物的方法，其特征在于，包括：步骤A、在沉积温度为第一温度条件下，在形成有栅区、源区、漏区和绝缘区的衬底上沉积一层金属；使位于所述栅区、源区和漏区上的所述金属分别与所述栅区、源区和漏区的硅材料发生反应生成金属硅化物；其中所述第一温度的取值不小于所述金属与所述栅区、源区和漏区的硅材料发生反应的温度值；步骤B、对所述衬底进行第一次快速热退火处理；步骤C、对经过第一次快速热退火处理后的所述衬底进行清洗处理；步骤D、对经过清洗处理后的所述衬底进行第二次快速热退火处理，转变所述栅区、源区和漏区上形成的金属硅化物的相态。