发明名称 |
用于制作薄膜晶体管的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于制作薄膜晶体管的方法,包括:在基底上形成遮光层;在遮光层上形成中间层,中间层包括对应于遮光层的半导体层;在中间层上涂布光阻材料,采用与基底呈第一夹角的光束透过基底来对光阻材料进行照射,形成光阻层,其中,光阻层上具有光阻材料的区域上的光阻材料的厚度从两侧到中心部分逐渐变大;进行离子掺杂处理,以在半导体层中形成对应于光阻层中厚度逐渐变化的光阻材料的区域的离子轻掺杂区,并在半导体层中形成对应于光阻层中无光阻材料区域的离子重掺杂区。本发明可以减小多晶硅薄膜晶体管制作过程中所需的光罩数量,降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN104779168A |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201510172109.8 |
申请日期 |
2015.04.13 |
申请人 |
武汉华星光电技术有限公司 |
发明人 |
赵莽;田勇 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 |
代理人 |
朱绘;张文娟 |
主权项 |
一种用于制作薄膜晶体管的方法,包括:在基底上形成遮光层;在所述遮光层上形成中间层,所述中间层包括对应于所述遮光层的半导体层;在所述中间层上涂布光阻材料,采用与所述基底呈第一夹角的光束透过所述基底来对光阻材料进行照射,形成光阻层,其中,所述光阻层上具有光阻材料的区域上的光阻材料的厚度从两侧到中心部分逐渐变大;进行离子掺杂处理,以在所述半导体层中形成对应于所述光阻层中厚度逐渐变化的光阻材料的区域的离子轻掺杂区,并在所述半导体层中形成对应于所述光阻层中无光阻材料区域的离子重掺杂区。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 |