| 发明名称 | 闪存的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种闪存的制造方法，将浮栅仅仅形成在浅槽隔离的表面，不再横跨浅槽隔离以及氧化层的表面，在后续对控制栅进行刻蚀时，无需再刻蚀所述浮栅，因此被刻蚀层的均匀性较佳，致使刻蚀易于控制，避免对半导体衬底造成损伤或者留下残留物，从而提高闪存的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN104779209A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201410014227.1 | 申请日期 | 2014.01.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张冬平;万宇 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种闪存的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底中设有浅槽隔离，所述半导体衬底表面设有氧化层；在所述浅槽隔离表面形成浮栅；后续依次形成介质层和控制栅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||