一种抗干扰能力强的晶振调频发射机

摘要

本实用新型公开了一种抗干扰能力强的晶振调频发射机，包括电容C1、电阻R1、晶振Y、三极管VT1、电感L1和二极管D1。通过在本实用新型中采用的晶振振荡电路，能够很好地解决直接调频发射机的频率漂移现象，而且没有采用芯片元件设计，具有频率稳定性好、调频精确度高好抗干扰能力强的优点。

主权项

一种抗干扰能力强的晶振调频发射机，包括电容C1、电阻R1、晶振Y、三极管VT1、电感L1和二极管D1，其特征在于，所述电容C1接地，电容C1另一端分别连接电容C12、电容C11、电阻R5、三极管VT1集电极、电容C7、电感L2、电容C9、电感L3和电源VCC，电容C12另一端分别连接输入信号端Vi、电容C2、电阻R2和电阻R3，电容C2另一端分别连接电阻R2另一端、二极管D1正极、电阻R1、电容C5、电阻R6、三极管VT2发射极和三极管VT3发射极，所述电阻R3另一端分别连接电容C11另一端、二极管D1负极和晶振Y，晶振Y另一端分别连接电阻R4和电感L1，电感L1另一端分别连接电阻R1另一端、电阻R4另一端和电容C3，电容C3另一端分别连接电阻R5另一端、电容C4和三极管VT1基极，电容C4另一端分别连接电容C5另一端、电阻R6另一端、电容C6和三极管VT1发射极，电容C6另一端分别连接电阻R7和三极管VT2基极，三极管VT2集电极分别连接电阻R7另一端、电容C7另一端、电感L2另一端和电容C8，电容C8另一端分别连接电阻R8和三极管VT3基极，三极管VT3集电极分别连接电阻R8另一端、电容C9另一端、电感L3另一端和电容C10，电容C10另一端连接天线。