一种PMOS管的掺杂方法

摘要

本发明公开了一种PMOS管的掺杂方法，通过采用第一次离子注入和第二次离子注入交替进行，并且通过硬质掩模层的遮挡，从而在无需旋转衬底的情况下完成对衬底的掺杂。

主权项

一种PMOS管的掺杂方法包括如下步骤：(1).在P型半导体衬底上通过杂质扩散的方法形成N型阱；(2).在N型阱的表面上形成栅氧化层后，在栅氧化层上淀积硬质掩模层；(3).漏区的第一次离子注入：以离子束与水平方向成α的角度对N型阱进行掺杂，掺杂杂质为P型杂质，掺杂剂量为漏区总掺杂剂量的1/2；其中，硬质掩模层的高度为：在进行漏区的第一次离子注入时，通过该硬质掩模层的遮挡，离子束仅能对漏区进行掺杂，而源区无离子注入；(4).源区的第一次离子注入：以离子束与水平方向成(90°+α)的角度对N型阱进行掺杂，掺杂杂质为P型杂质，掺杂剂量为源区总掺杂剂量的1/2；其中，硬质掩模层的高度为：在进行源区的第一次离子注入时，通过该硬质掩模层的遮挡，离子束仅能对源区进行掺杂，而漏区无离子注入；(5).漏区的第二次离子注入：重复步骤(3)，直至漏区完成全部剂量的掺杂；(6).源区的第二次离子注入：重复步骤(4)，直至源区完成全部剂量的掺杂；(7).对完成掺杂后的PMOS管进行退火，以激活掺杂杂质；其中所述对N型阱进行源区101和漏区102掺杂时，注入离子的种类选择P型离子进行注入，所述P型离子为硼离子或铟离子；当采用硼离子时，其注入能量为4～10Kev，注入剂量为5×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²；当采用铟离子时，其注入能量为20～40Kev，注入剂量为1×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²。