具有多晶硅栅极P型掺杂的NMOS源极跟随器的图像传感器

摘要

具有多晶硅栅极P型掺杂的NMOS源极跟随器的图像传感器。一种图像传感器阵列具有平铺单元，其包括源极跟随器级，该源极跟随器级被耦接以在将该单元读取至感测线时缓冲来自光电二极管的信号，该源极跟随器级不同于传统传感器阵列，因为该源极跟随器级使用具有P型掺杂多晶硅栅极的N沟道晶体管。在实施例中，该阵列的其他晶体管具有具备N型掺杂多晶硅栅极的传统N沟道晶体管。

主权项

一种图像传感器阵列，包括：平铺单元，其包括源极跟随器级，所述源极跟随器级被耦接以在被读取至感测线时缓冲来自光电二极管的信号，其中所述源极跟随器级包括晶体管，所述晶体管的源极及漏极被掺杂为与所述同一晶体管的多晶硅栅极相反的极性，而所述平铺单元的至少一个其他晶体管具有源极、漏极及多晶硅栅极均掺杂为相同类型的晶体管。