通过基于感测的位线补偿对存储器编程以减少沟道到浮栅的耦合

摘要

在存储元件的编程期间，对沟道到浮栅的耦合效应进行补偿以避免增加的编程速度和阈值电压分布扩宽。结合编程迭代，使未选择的位线的电压逐步升高以引入对所选择的位线的耦合，并且感测由所选择的位线体验的耦合量。当施加编程脉冲时，基于耦合量设定所选择的位线的电压。当感测到较大的耦合时，位线电压被设定为较高。给定的所选择的位线体验的耦合量是其与未选择的位线的接近度的函数。可以使用一个或更多个耦合阈值来分别指示给定的所选择的位线具有一个或两个相邻的未选择的位线。

主权项

一种非易失性存储系统，包括：存储元件集合(400，450)；与每个存储元件相关联的相应的位线(406，407，408)，相应的位线包括所选择的位线和未选择的位线；以及一个或更多个控制电路(510，550)，为了针对所述存储元件集合执行多迭代编程操作的迭代，所述一个或更多个控制电路执行以下操作：(a)使未选择的位线的电压逐步升高，并且感测所选择的位线的电压，以针对每个所选择的位线确定所选择的位线是(i)没有响应于逐步升压而耦联到至少第一电平(T)，其指示不存在相邻的未选择的位线，还是(ii)响应于逐步升压而耦联到至少第一电平，其指示存在至少一个相邻的未选择的位线；以及(b)随后在基于感测的各个电平(Vbl(comp)，Vbl(no comp))处提供所选择的位线的电压，并且同时将编程脉冲施加到所述存储元件集合。