发明名称 |
利用光电效应提高分辨率的光刻机成像系统及其成像方法 |
摘要 |
本发明涉及利用光电效应提高分辨率的光刻机成像系统及其成像方法,该成像系统包括光源、光刻版、物镜,所述光源产生的曝光光源穿过所述光刻版,射入所述物镜;光电效应板,从所述物镜射出的光束入射到所述光电效应板上,发生光电效应逸出电子;偏转磁场,用于改变所述光电效应板发射出的电子的运动方向,使所述光电效应板发射出的电子能被电子收集器收集并最终入射到所述硅片表面的光刻胶上;电子收集器,用于收集所述光电效应板发射出的电子;电子加速限位器,对所述电子收集器内的电子进行加速,以提高所述电子的能量,同时,所述电子在垂直于电子运动方向的平面内的间距,沿电子运动方向等比例逐渐缩小;和工件台,所述硅片放置在工件台上。 |
申请公布号 |
CN102163007B |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201110124608.1 |
申请日期 |
2011.05.13 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
袁伟 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种利用光电效应提高分辨率的光刻机成像系统,包括光源、光刻版、物镜和工件台,所述光源产生的曝光光源穿过所述光刻版,射入所述物镜,所述光刻版上设有图形,所述工件台上放置有硅片,其特征在于,还包括:光电效应板,从所述物镜射出的光束入射到所述光电效应板上,所述光电效应板在所述光束的照射下发生光电效应,发射出电子;偏转磁场,用于改变所述光电效应板发射出的电子的运动方向,使电子能够被电子收集器所收集;电子收集器,用于收集所述光电效应板发射出的电子,收集的电子入射到所述硅片表面的光刻胶上;电子加速限位器,对所述电子收集器内的电子进行加速,同时使所述电子在垂直于电子运动方向的平面内的间距,沿电子运动方向等比例逐渐缩小,其中,所述电子加速限位器包括阴极电场和阳极电场,所述阴极电场设置在所述电子收集器的入口附近,所述阳极电场设置在所述电子收集器的出口附近,所述阴极电场的面积大于所述阳极电场的面积,所述阴极电场的电场强度比所述阳极电场的电场强度大。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 |