形成半导体器件的方法

摘要

公开了一种具有位错的半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件和用于制造半导体器件的方法提高载流子迁移率。该方法包括：提供其中具有隔离部件的衬底和位于衬底上方的两个栅叠层，其中，栅叠层之一位于隔离部件的顶部。该方法进一步包括对衬底实施预非晶化注入工艺。该方法进一步包括形成与栅叠层的侧壁邻接的隔离件，其中，至少一个隔离件延伸超过隔离部件的边缘。该方法进一步包括在衬底上方形成应力膜。该方法还包括对衬底和应力膜实施退火工艺。还提供了形成半导体器件的方法。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成隔离部件；在所述衬底上方形成第一栅叠层和第二栅叠层，其中，所述第一栅叠层位于所述隔离部件的顶部；对所述衬底实施预非晶化注入工艺，从而形成非晶区；形成与所述第一栅叠层和所述第二栅叠层的侧壁邻接的隔离件，其中，与所述第二栅叠层邻近的所述隔离件之一延伸超过所述隔离部件的边缘；在所述衬底上方形成应力膜；对所述衬底实施退火工艺；去除所述应力膜；在去除所述应力膜之后，去除所述隔离件；以及在去除所述隔离件之后，形成与所述第一栅叠层的侧壁邻接的栅极隔离件，其中，所述栅极隔离件的宽度小于所述隔离件的宽度。