| 发明名称 | 一种设置在基底上的薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种设置在基底上的薄膜及其制备方法，本发明设置在基底上的薄膜包括基底层和薄膜层，薄膜层的厚度为10~30×10<sup>3</sup>纳米，基底层材料和薄膜层材料的热膨胀系数不同；制备方法为先制备在同种材料基底上的薄膜层，薄膜层和同种材料基底之间有一层牺牲层，然后将薄膜层键合到目标基底上，再将牺牲层去除，最终得到目标基底上的薄膜层；本发明的薄膜为基底材料和薄膜材料的膨胀系数差别较大时，形成的膜厚均匀，缺陷密度低的薄膜层，薄膜的厚度达到纳米级；通过在不同材料上制备的薄膜，能实现各种材料生产工艺和生产线的兼容，可以将基底材料的半导体器件和薄膜器件进行集成，提高薄膜材料的可加工性能，进而生产出性能优良的新型器件。 | ||
| 申请公布号 | CN104779143A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201510209968.X | 申请日期 | 2015.04.29 |
| 申请人 | 济南晶正电子科技有限公司 | 发明人 | 胡文;胡卉 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 | 代理人 | 宋永丽 |
| 主权项 | 一种设置在基底上的薄膜，其特征在于：包括基底层和薄膜层，薄膜层的厚度为10~30×103纳米；基底层材料和薄膜层材料的热膨胀系数不同。 | ||
| 地址 | 250100 山东省济南市舜华路750号综合楼B303-1 | ||