| 摘要 |
몇몇 실시예들은 반도체 기재로 연장된 게이트를 가진 반도체 구조물을 포함한다. 전도성-도핑 소스 및 드레인 영역들은 게이트에 인접한 기재 내에 있다. 게이트 유전체는 소스 영역 및 게이트 사이에서의 제 1 세그먼트, 드레인 영역 및 게이트 사이에서의 제 2 세그먼트, 및 제 1 및 제 2 세그먼트들 사이에서의 제 3 세그먼트를 가진다. 게이트 유전체의 적어도 일 부분은 강유전성 재료를 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 강유전성 재료는 제 1, 제 2, 및 제 3 세그먼트들의 각각 내에 있다. 몇몇 실시예들에서, 강유전성 재료는 제 1 세그먼트 또는 제 3 세그먼트 내에 있다. 몇몇 실시예들에서, 트랜지스터는 게이트, 소스 영역 및 드레인 영역을 가지며; 소스 및 드레인 영역들 사이에 채널 영역을 가진다. 트랜지스터는 소스 영역 및 게이트 사이에 강유전성 재료를 포함하는 게이트 유전체를 가진다. |
