发明名称 PLASMA PROCESSING METHOD
摘要 [과제] 기판을 배치하는 하부 전극과 대향하여 배치되는 내측 상부 전극 및 외측 상부 전극에 고주파 전력을 분배 공급하는 용량 결합형 플라즈마 처리 장치에 있어서, 외측/내측 전력 분배비를 조절하기 위해서 설치되는 가변 콘덴서의 플라즈마 밀도 분포 특성 또는 프로세스 특성의 면내 프로파일의 제어에 대한 조정 노브로서의 기능을 향상시킨다. [해결수단] 이 플라즈마 처리 장치에서는, 외측/내측 전력 분배비의 조절에 이용하는 가변 콘덴서의 바리콘 스텝 선택 범위를 공진 영역(RE)을 피하면서 저영역측의 비공진 영역(LE)과 고영역측의 비공진 영역(HE)에 걸쳐 광범위하게 확장함으로써, 플라즈마 밀도 분포나 프로세스 특성의 면내 프로파일을 직경 방향으로 제어하기 위한 조정 노브로서의 효과를 향상시킨다.
申请公布号 KR20150082196(A) 申请公布日期 2015.07.15
申请号 KR20157008544 申请日期 2013.10.30
申请人 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 KIHARA YOSHIHIDE;KAWAMATA MASAYA;HAGA TOSHIO
分类号 H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/311 主分类号 H01J37/32
代理机构 代理人
主权项
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