发明名称 一种NAND FLASH写数据的方法和装置
摘要 本发明公开了一种NAND FLASH写数据的方法,其中NAND FLASH包括物理块,所述物理块具有一一映射的逻辑块,所述逻辑块包括映射表以及空闲链表,所述的方法包括:确定待写的第一逻辑块;从所述空闲链表中获取擦写次数最少的物理块作为第一物理块;判断所述第一物理块是否为坏块,若是,则将当前第一物理块标记为坏块,并更换第一物理块;将待写入数据写入所述第一物理块;在所述映射表中记录所述第一逻辑块的映射至所述第一物理块。本申请通过利用空闲链表,以实现磨损平衡;将写操作中发现的坏块映射至坏块空间,重新从空闲链表中获取擦除次数最少的物理块进行写操作,以结合坏块管理与磨损平衡。
申请公布号 CN104778127A 申请公布日期 2015.07.15
申请号 CN201510133476.7 申请日期 2015.03.25
申请人 合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 发明人 汤秋莲;马斌;王景华
分类号 G06F12/06(2006.01)I 主分类号 G06F12/06(2006.01)I
代理机构 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人 赵娟
主权项 一种NAND FLASH写数据的方法,其特征在于,所述NAND FLASH包括物理块,所述物理块具有一一映射的逻辑块,所述逻辑块包括映射表以及空闲链表,所述的方法包括:确定待写的第一逻辑块;从所述空闲链表中获取擦写次数最少的物理块作为第一物理块;判断所述第一物理块是否为坏块,若是,则将当前第一物理块标记为坏块,并更换第一物理块;将待写入数据写入所述第一物理块;在所述映射表中记录所述第一逻辑块的映射至所述第一物理块。
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