发明名称 |
一种NAND FLASH写数据的方法和装置 |
摘要 |
本发明公开了一种NAND FLASH写数据的方法,其中NAND FLASH包括物理块,所述物理块具有一一映射的逻辑块,所述逻辑块包括映射表以及空闲链表,所述的方法包括:确定待写的第一逻辑块;从所述空闲链表中获取擦写次数最少的物理块作为第一物理块;判断所述第一物理块是否为坏块,若是,则将当前第一物理块标记为坏块,并更换第一物理块;将待写入数据写入所述第一物理块;在所述映射表中记录所述第一逻辑块的映射至所述第一物理块。本申请通过利用空闲链表,以实现磨损平衡;将写操作中发现的坏块映射至坏块空间,重新从空闲链表中获取擦除次数最少的物理块进行写操作,以结合坏块管理与磨损平衡。 |
申请公布号 |
CN104778127A |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201510133476.7 |
申请日期 |
2015.03.25 |
申请人 |
合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
发明人 |
汤秋莲;马斌;王景华 |
分类号 |
G06F12/06(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 |
代理人 |
赵娟 |
主权项 |
一种NAND FLASH写数据的方法,其特征在于,所述NAND FLASH包括物理块,所述物理块具有一一映射的逻辑块,所述逻辑块包括映射表以及空闲链表,所述的方法包括:确定待写的第一逻辑块;从所述空闲链表中获取擦写次数最少的物理块作为第一物理块;判断所述第一物理块是否为坏块,若是,则将当前第一物理块标记为坏块,并更换第一物理块;将待写入数据写入所述第一物理块;在所述映射表中记录所述第一逻辑块的映射至所述第一物理块。 |
地址 |
230601 安徽省合肥市经济技术开发区明珠广场1幢 |