穿硅光学互连

摘要

一些实现提供了一种半导体器件，其包括第一管芯和光接收器。第一管芯包括背面层，该背面层具有足够薄的厚度以允许光信号穿过该背面层。光接收器被配置成接收通过第一管芯的背面层的若干光信号。在一些实现中，每个光信号源自耦合至第二管芯的对应的光发射器。在一些实现中，背面层是管芯基板。在一些实现中，光信号穿过背面层的基板部分。第一管芯进一步包括有效层。光接收器是有效层的一部分。在一些实现中，半导体器件包括第二管芯，该第二管芯包括光发射器。第二管芯耦合至第一管芯的背面。

主权项

一种半导体器件，包括：包括背面层的第一管芯，所述背面层具有的厚度足够薄以允许光信号穿过所述背面层；以及光接收器，其被配置成接收通过所述第一管芯的所述背面层的多个光信号。