发明名称 | 单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器,包括:基底;缓冲层,形成于该基底之上;下限制层,形成于该缓冲层之上;多量子阱有源层,形成于该下限制层的左端之上;波导层,形成于该下限制层的右端之上;相移光栅层,形成于该多量子阱有源层之上;均匀布拉格光栅层,形成于该波导层之上;上限制层,形成于该有源叠层、该对接区及该无源叠层之上;刻蚀阻止层,形成于该上限制层之上;欧姆接触层,形成于该刻蚀阻止层的左端之上;P电极层,形成于该欧姆接触层之上;以及N电极层,形成于该基底的背面。利用本发明,避免了传统的利用外腔压窄线宽结构的跳模危险,实现频率的稳定性。 | ||
申请公布号 | CN103346475B | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
申请号 | CN201310211088.7 | 申请日期 | 2013.05.31 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘建国;郭锦锦;黄宁博;孙文惠;祝宁华 |
分类号 | H01S5/12(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
主权项 | 一种单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器,其特征在于,该半导体激光器包括:一基底(1);一缓冲层(2),形成于该基底(1)之上;一下限制层(3),形成于该缓冲层(2)之上;一多量子阱有源层(4),形成于该下限制层(3)的左端之上;一波导层(5),形成于该下限制层(3)的右端之上;一相移光栅层(6),形成于该多量子阱有源层(4)之上,与该多量子阱有源层(4)构成有源叠层;一均匀布拉格光栅层(12),形成于该波导层(5)之上,与该波导层(5)构成无源叠层,且在该无源叠层与该有源叠层之间形成对接区;一上限制层(7),形成于该有源叠层、该对接区及该无源叠层之上;一刻蚀阻止层(8),形成于该上限制层(7)之上;一欧姆接触层(9),形成于该刻蚀阻止层(8)的左端之上;一P电极层(10),形成于该欧姆接触层(9)之上;以及一N电极层(11),形成于该基底(1)的背面;其中,所述相移光栅层(6)与所述均匀布拉格光栅(12)的光栅周期相同。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |