| 摘要 |
<p>반도체 디바이스는 제 1 주 표면을 갖는 반도체 몸체 내 트랜지스터를 포함한다. 트랜지스터는 소스 영역과, 드레인 영역과, 채널 영역과, 드리프트 구역과, 소스 영역에 전기적으로 연결되는 소스 콘택트와, 드레인 영역에 전기적으로 연결되는 드레인 콘택트와, 채널 영역에서의 게이트 전극을 포함한다. 채널 영역 및 드리프트 구역은 제 1 방향을 따라 소스 영역과 드레인 영역 사이에 배치되고, 제 1 방향은 제 1 주 표면에 평행하다. 채널 영역은 제 1 방향을 따라 연장하는 제 1 릿지의 형상을 갖는다. 소스 콘택트와 드레인 콘택트 중 하나의 콘택트는 제 1 주 표면에 인접하고, 소스 콘택트와 드레인 콘택트 중 다른 콘택트는 제 1 주 표면에 마주하는 제 2 주 표면에 인접한다.</p> |
