低温多晶硅TFT基板结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板结构及其制作方法，通过将驱动TFT区域与显示TFT区域的缓冲层设置成不同的厚度，使驱动TFT区域的缓冲层的厚度较大，显示TFT区域的缓冲层的厚度较小，在多晶硅结晶过程中形成了不同的温度梯度，实现了对结晶颗粒大小的控制，使得驱动TFT区域的多晶硅层在晶化过程中形成较大的晶格尺寸，提高了电子迁移率，使得显示TFT区域的多晶硅层在晶化过程中实现碎晶，保证了晶界均一性，提高了电流的均一性，从而满足了不同TFT的电性要求，提高了OLED发光的均一性。

主权项

一种低温多晶硅TFT基板结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(1)，所述基板(1)包括驱动TFT区域与显示TFT区域，在所述基板(1)上沉积缓冲层(11)，并对所述缓冲层(11)进行图案化处理，使所述驱动TFT区域的缓冲层(11)的厚度大于所述显示TFT区域的缓冲层(11)的厚度；步骤2、在所述缓冲层(11)上沉积非晶硅层，并经过准分子激光退火前处理后，对所述非晶硅层进行准分子激光退火处理，使所述非晶硅层结晶，转变为多晶硅层(12)，对所述多晶硅层(12)进行图案化处理，得到位于所述驱动TFT区域的第一多晶硅段(14)、及位于所述显示TFT区域的第二多晶硅段(15)；步骤3、在所述第一多晶硅段(14)、第二多晶硅段(15)及缓冲层(11)上沉积栅极绝缘层(16)；步骤4、在所述栅极绝缘层(16)上沉积并图案化第一金属层，分别对应第一多晶硅段(14)与第二多晶硅段(15)的上方形成第一栅极(17)与第二栅极(18)；步骤5、在所述栅极绝缘层(16)、第一栅极(17)、及第二栅极(18)上沉积层间绝缘层(19)，并在所述层间绝缘层(19)、及栅极绝缘层(16)上分别对应所述第一多晶硅段(14)、及第二多晶硅段(15)上方形成第一过孔(20)与第二过孔(20’)；步骤6、在所述层间绝缘层(19)上沉积并图案化第二金属层，分别形成位于所述驱动TFT区域的第一源/漏极(21)、及位于所述显示TFT区域的第二源/漏极(22)，所述第一源/漏极(21)经由第一过孔(20)与所述第一多晶硅段(14)相接触，所述第二源/漏极(22)经由第二过孔(20’)与第二多晶硅段(15)相接触。