发明名称 |
测量有机半导体状态密度的方法 |
摘要 |
一种测量有机半导体材料状态密度的方法,包括:步骤1,测量有机半导体材料的赛贝克系数;步骤2,基于有机半导体材料的特征,选择一种状态密度函数;步骤3,通过渗流理论计算有机半导体材料的赛贝克系数值;步骤4,提取材料的状态密度宽度;步骤5,提取有机半导体材料的状态密度。依照本发明的测量有机半导体状态密度的方法,基于材料变温下的赛贝克系数的值及载流子的跃迁理论,通过理论与实验相结合的方法探测有机半导体材料的状态密度,为分析有机半导体材料的微观物理机制提供理论指导,可以直接用于分析有机半导体材料的载流子输运特性,从而为制造高性能的有机半导体器件提供指导。 |
申请公布号 |
CN104777359A |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201510228253.9 |
申请日期 |
2015.05.07 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
卢年端;李泠;刘明 |
分类号 |
G01R27/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01R27/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 |
代理人 |
陈红 |
主权项 |
一种测量有机半导体材料状态密度的方法,包括:步骤1,测量有机半导体材料的赛贝克系数;步骤2,基于有机半导体材料的特征,选择一种状态密度函数;步骤3,通过渗流理论计算在选定状态密度函数下有机半导体材料的赛贝克系数值;步骤4,提取材料的状态密度宽度;步骤5,根据状态密度宽度提取有机半导体材料的状态密度。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3# |