| 发明名称 | 一种CMOS及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS及其制造方法，所述CMOS的制造方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成有源区栅极、源极、漏极以及多晶硅层和介质层；在所述介质层上涂布光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成连接孔的位置；在所述连接孔的位置利用直口刻蚀工艺刻蚀连接孔；在所述连接孔中沉积金属层。本发明利用“直口刻蚀”代替现有的“碗口刻蚀+直口刻蚀”两步刻蚀方式，搭配SOG工艺并使用金属钨代替铝合金作为填充金属，使得连接孔尺寸可以相对做小而且填充良好，这样连接孔的偏移量就有更大的冗余度，从而避免因连接孔位置偏移造成的功能失效，确保连接孔特性稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN104779206A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201410014442.1 | 申请日期 | 2014.01.13 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 陈金园;黎智;李志广;李娇 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 黄灿;宋林清 |
| 主权项 | 一种CMOS的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成有源区栅极、源极、漏极以及多晶硅层和介质层；在所述介质层上涂布光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成连接孔的位置；在所述连接孔的位置利用直口刻蚀工艺刻蚀连接孔；在所述连接孔中沉积金属层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室 | ||