一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器

摘要

本实用涉及一种脉冲调制器，更具体地说涉及一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，提升了P沟道MOSFET Q4的栅极电压，脉冲前后沿陡。电阻R4和电阻R3并联连接于脉冲驱动器D1的输出端，电阻R4的一端接地。电阻R3的输出端连接在三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接在电阻R2的一端。电阻R1的输入端连接在电源上，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极都连接在电阻R1的输出端。三极管Q3的集电极连接在电源上，发射极连接在P沟道MOSFET Q4的栅极。三极管Q2的发射极连接在三极管Q3的发射极，集电极接地。P沟道MOSFET Q4的源极连接在电源上，负载RL和调制电压输出电路并联连接于P沟道MOSFET Q4的漏极上，负载RL的一端接地。

主权项

一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，包括脉冲驱动器D1、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、P沟道MOSFET Q4、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、负载RL、调制电压输出电路和高压电源VDC，其特征在于：电阻R4和电阻R3并联连接于脉冲驱动器D1的输出端，电阻R4的一端接地；电容C2并联连接在电阻R3两端；电阻R3的输出端连接在三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接在电阻R2的一端；电阻R1的输入端连接在电源上，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极都连接在电阻R1的输出端；三极管Q3的集电极连接在电源上，发射极连接在P沟道MOSFET Q4的栅极；三极管Q2的发射极连接在三极管Q3的发射极，集电极接地；P沟道MOSFET Q4的源极连接在电源上，负载RL和调制电压输出电路并联连接于P沟道MOSFET Q4的漏极上，负载RL的一端接地；电容C1的一端连接电源，一端接地。