半导体制造装置

摘要

本发明提供一种可抑制消耗电力的半导体制造装置。半导体制造装置（1）具备：对处理空间S进行划分的处理容器（2），该处理容器（2）具有上表面（2a）；设于处理空间S内的载置台（3）；以与载置台（3）对面的方式设于该载置台的上方的上部电极（20）；对上部电极（20）进行加热的加热器（35）、（36），该加热器（35）、（36）设于上部电极（20）的周围且上表面（2a）的下方；搭载于上表面（2a）的隔热部件（50），隔热部件（50）包含板状部（51）和设于该板状部（51）的一方的主面（51a）侧的隔热部（52）。

主权项

一种半导体制造装置，其特征在于，包括：划分形成处理空间并具有上表面的处理容器；设置于所述处理空间内的载置台；上部电极，以与所述载置台对置的方式设置于该载置台的上方；加热器，加热所述上部电极，设置于所述上部电极的周围且所述上表面的下方；和以与所述上表面抵接的方式搭载于所述上表面的隔热部件，所述隔热部件包括：板状部和设置于该板状部的一方的主面侧的隔热部。