| 发明名称 | 用于FINFET技术的基于虚拟端栅极的抗熔丝器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于鳍型场效应晶体管(finFET)技术的抗熔丝器件，该器件包含虚拟栅极，导电触点，以及扩散触点。虚拟栅极形成在鳍片的端角之上。所述导电触点设置在所述虚拟栅极的一部分上并且可用作所述器件的第一电极。所述扩散触点设置在所述鳍片之上并且可用作所述器件的第二电极。 | ||
| 申请公布号 | CN104779237A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201510019184.0 | 申请日期 | 2015.01.14 |
| 申请人 | 美国博通公司 | 发明人 | 肖姆·苏伦德兰·波诺斯;伊藤明;朴昌郁 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/112(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 田喜庆 |
| 主权项 | 一种用于鳍型场效应晶体管技术的抗熔丝器件，所述器件包括：虚拟栅极，形成在鳍片的端角之上；导电触点，设置在所述虚拟栅极的一部分上并且配置为用作所述器件的第一电极；以及扩散触点，设置在所述鳍片之上并且配置为用作所述器件的第二电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||