| 发明名称 | 塑性抗断裂氮化硅陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种塑性抗断裂氮化硅陶瓷，选用Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>，Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为原料，采用冷等静压成型、温度波动的烧结技术制备而成，氮化硅、氧化铝和氧化钇按的质量比例为90：6：4。本发明在材料的塑性变形过程中，将吸收掉外力对其做功所产生的能量，变成材料内部的储存能，而不发生断裂，因此塑性陶瓷还可广泛用作仪器设备的保护壳体以及其它受冲击、高负荷作用的部件，摔而不碎，撞而不碎。通过上述步骤生产的氮化硅陶瓷，经落锤实验，表现出了明显的塑性变形，变形率均超过了10%。 | ||
| 申请公布号 | CN104774014A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201510131545.0 | 申请日期 | 2015.03.24 |
| 申请人 | 沈阳工业大学 | 发明人 | 乔瑞庆 |
| 分类号 | C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/584(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人 | 宋铁军;周智博 |
| 主权项 | 一种塑性抗断裂氮化硅陶瓷，其特征在于：选用Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>，Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为原料，采用冷等静压成型、温度波动的烧结技术制备而成，氮化硅、氧化铝和氧化钇按的质量比例为90：6：4。 | ||
| 地址 | 110870 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号 | ||