发明名称 一种透射电镜样品的制备方法及定位方法
摘要 本发明提供一种透镜样品的制备方法及定位方法,其中,所述制备方法制作了两道紧挨的标记:第一标记和第二标记,且第一标记设置在具有缺陷点的目标位置区域,第二标记根据第一标记位置设置,因此能够设置在距离目标位置较近的位置;所述定位方法能够依据第二标记快速准确地定位目标位置,实现缺陷失效点的精确定位,因此,本发明的制备方法及定位方法简单,成本低,能够有效实现缺陷失效点的精确定位,保证TEM样品制备的成功率。
申请公布号 CN104777024A 申请公布日期 2015.07.15
申请号 CN201510199043.1 申请日期 2015.04.23
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 高林;史燕萍;孙蓓瑶;陈胜;陈强
分类号 G01N1/28(2006.01)I 主分类号 G01N1/28(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 王宏婧
主权项 一种透镜样品的制备方法,其特征在于,包括:将一具有缺陷的初始TEM样品放入FIB机台中,并选定目标位置区域;在所述FIB机台中沉积第一保护层到所述目标位置区域,所述第一保护层为第一标记;在所述FIB机台中采用所述FIB机台的离子束线切割第一保护层一侧的区域,形成第二标记;在所述FIB机台中沉积第二保护层以覆盖所述第一标记和第二标记;在所述FIB机台中采用所述FIB机台的离子束切割所述第二保护层的覆盖区域至第二标记;在所述FIB机台中进行所述TEM样品的提取,获得TEM样品。
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号