发明名称 |
静电离子陷阱 |
摘要 |
一种离子陷阱包含电极结构,其包含第一和第二相反镜面电极和其间的中心透镜,所述电极结构产生使得离子在自然振荡频率下被限制于若干轨迹的静电电位,所述限制电位为非谐的。所述离子陷阱还包含具有激励频率f的AC激励源,其在所述离子的所述自然振荡频率的约两倍的频率下激励被限制的离子,所述AC激励频率源优选地连接到所述中心透镜。在一个实施例中,所述离子陷阱包含扫描控件,其质量选择性地减小所述AC激励频率与所述离子的所述自然振荡频率的约两倍之间的频率差。 |
申请公布号 |
CN104779132A |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201510194511.6 |
申请日期 |
2010.05.05 |
申请人 |
MKS仪器公司 |
发明人 |
葛拉多·A·布鲁克尔;肯尼斯·D·凡 安特卫普;G·杰佛瑞·拉司邦;史考特·C·海恩布希;麦可·N·肖特;巴巴拉·简·欣奇;列克谢·V·艾马柯夫 |
分类号 |
H01J49/42(2006.01)I;H01J49/26(2006.01)I |
主分类号 |
H01J49/42(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静;黄灿 |
主权项 |
一种离子陷阱,其包括:电极结构,其产生使得离子在自然振荡频率下被限制于若干轨迹的静电电位,所述限制电位为非谐的;AC激励源,其连接到所述电极结构且具有激励频率,所述AC激励源在所述离子的自然振荡频率的约整数倍的频率下激励被限制的离子;非易失性存储器,其存储控制参数;以及控制电子设备,其操作地连接到所述AC激励源,且连接到所述电极结构,所述控制电子设备使用所述控制参数来控制所述AC激励源和所述静电电位。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |