发明名称 |
第III族氮化物晶片和制造方法与测试方法 |
摘要 |
本发明在一种情况中提供第III族氮化物晶片,其是从第III族氮化物锭块切割,经抛光以去除表面损坏层并经x射线衍射测试。使x射线入射束以小于15度的角度辐照,并评估衍射峰强度。通过这种测试的第III族氮化物晶片具有足以用于装置制造的表面质量。本发明在一种情况中还提供通过以下方式产生第III族氮化物晶片的方法:切割第III族氮化物锭块、抛光所述晶片的至少一个表面,并用相对于所述表面的入射束角度小于15度的x射线衍射测试所述表面质量。本发明在一种情况中还提供使用相对于所述表面的入射束角度小于15度的x射线衍射测试第III族氮化物晶片的所述表面质量的测试方法。 |
申请公布号 |
CN104781454A |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201380055415.2 |
申请日期 |
2013.03.13 |
申请人 |
希波特公司;首尔半导体股份有限公司 |
发明人 |
桥本忠朗 |
分类号 |
C30B7/10(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G01N23/201(2006.01)I |
主分类号 |
C30B7/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
章蕾 |
主权项 |
一种从块状第III族氮化物晶体切割的根据第III族氮化物晶体的晶片,其对于相对于所述晶片的表面的角度小于15度的入射束显示至少一个x射线衍射峰。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |