| 发明名称 | 半导体存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置具备：基板；设置在所述基板上且沿上下方向延伸的半导体柱；设置在所述半导体柱的侧方、沿第1方向延伸且沿所述上下方向彼此分离地配置的多张第1电极膜；设置在所述半导体柱与所述第1电极膜之间、且沿所述上下方向彼此分离地配置的多个第2电极膜；设置在所述半导体柱与所述第2电极膜之间的第1绝缘膜；和设置在所述第2电极膜与所述第1电极膜之间的第2绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104779253A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201410250359.4 | 申请日期 | 2014.06.06 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 坂本涉;铃木亮太;冈本达也;加藤龙也 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8248(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 万利军;陈海红 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，其中，具备：基板；半导体柱，其设置在所述基板上，沿上下方向延伸；多张第1电极膜，其设置在所述半导体柱的侧方，沿第1方向延伸且沿所述上下方向彼此分离地配置；多个第2电极膜，其设置在所述半导体柱与所述第1电极膜之间，沿所述上下方向彼此分离地配置；第1绝缘膜，其设置在所述半导体柱与所述第2电极膜之间；和第2绝缘膜，其设置在所述第2电极膜与所述第1电极膜之间。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||