| 发明名称 | 第III族氮化物晶片和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种其中一个表面在视觉上可区别于另一个表面的第III族氮化物晶片(例如GaN、AlN、InN和其合金)。在利用机械方法(例如多线锯)从第III族氮化物块晶切割所述晶片后，化学蚀刻所述晶片以使所述晶片的一个表面在视觉上可区别于另一个表面。本发明还揭示一种制造此类晶片的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104781057A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201380048864.4 | 申请日期 | 2013.03.15 |
| 申请人 | 希波特公司;首尔半导体股份有限公司 | 发明人 | 桥本忠朗;艾德华·里特斯;锡拉·霍夫 |
| 分类号 | B28D5/04(2006.01)I;B24B1/04(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | B28D5/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 章蕾 |
| 主权项 | 一种第III族氮化物品片，其具有Ga<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>In<sub>1‑x‑y</sub>N(0≤x≤1，0≤x+y≤1)的组成，其中两个表面均经机械方法粗糙化，并且所述表面经化学处理以使一个表面视觉上区别于另一个表面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||