| 发明名称 | 成膜方法和成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法使被收纳在能够保持真空的处理容器内的被处理体的温度为150～550℃，反复多次进行交替地含有第1供给工序和第2供给工序的循环，从而在上述被处理体上形成氮化硅膜。在上述第1供给工序中，向将压力设定为66.65～666.5Pa的上述处理容器内供给作为Si源的一氯硅烷气体。在上述第2供给工序中，向上述处理容器内供给作为氮化气体的含氮气体。 | ||
| 申请公布号 | CN102097302B | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201010566113.X | 申请日期 | 2010.11.25 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 松永正信;铃木启介;张宰赫;周保华;米泽雅人;长谷川雅之;长谷部一秀 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种成膜方法，使被收纳在能够保持真空的处理容器内的被处理体的温度为300～400℃的成膜处理温度，反复多次进行交替地含有第1供给工序和第2供给工序的循环，从而在上述被处理体上形成氮化硅膜，在上述第1供给工序中，向将压力设定为66.65～666.5Pa的上述处理容器内供给作为Si源的一氯硅烷气体，在上述第2供给工序中，向上述处理容器内供给作为氮化气体的含氮气体；上述被处理体是上述氮化硅膜作为成品膜而形成的成品用被处理体，上述方法还包括如下工序：在上述成品用被处理体上形成上述成品膜之前，在不存在有上述成品用被处理体的状态的上述处理容器内，利用热ALD进行用覆膜覆盖上述处理容器的内壁的覆膜处理，在此，将上述处理容器内的温度设定为高于上述成膜处理温度的覆膜处理温度500～630℃，向上述处理容器内交替地且均不进行等离子化地供给上述一氯硅烷气体和上述含氮气体，利用上述一氯硅烷气体和上述含氮气体之间的反应形成上述覆膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||