用于图像传感器的改良的激光退火

摘要

本文涉及用于图像传感器的改良的激光退火。一种用于制造包括像素电路区域及周边电路区域的图像传感器的技术包括在该图像传感器的前侧上制造前侧组件。在该图像传感器的背面上植入掺杂剂层。抗反射层形成在该背面上且覆盖该掺杂剂层的在像素电路区域下方的第一部分同时曝露该掺杂剂层的在周边电路区域下方的第二部分。经由该抗反射层从该图像传感器的背面对该掺杂剂层的第一部分进行激光退火。该抗反射层使该掺杂剂层的第一部分的温度在该激光退火期间增加。

主权项

一种制造包括像素电路区域及周边电路区域的图像传感器的方法，所述方法包括：在所述图像传感器的前侧上或所述前侧中制造前侧组件；在所述图像传感器的背面上植入掺杂剂层；在所述背面上形成抗反射层，所述抗反射层覆盖所述掺杂剂层的在所述像素电路区域的下方的第一部分而曝露所述掺杂剂层的在所述周边电路区域的下方的第二部分；以及经由所述抗反射层从所述图像传感器的所述背面对所述掺杂剂层的所述第一部分进行激光退火，其中所述抗反射层增大退火激光至所述掺杂剂层的所述第一部分中的穿透，同时相对于所述激光退火期间从所述掺杂剂层的所述第二部分朝向所述图像传感器的所述背面外部的第二散热速率，来减小所述激光退火期间从所述掺杂剂层的所述第一部分朝向所述图像传感器的所述背面外部的第一散热速率。