| 摘要 |
<p>8T SRAM 셀들과 같은 메모리 셀들을 포함하는 메모리 어레이에서 누설 전류들 및 전력 소비를 감소시키기 위한 시스템들 및 방법이 기재된다. 메모리 어레이는, 누설 부분들이 효율적으로 제거되도록, 메모리 셀들의 그룹의 슬립 모드 또는 비활성 상태들 동안 감소된 전력 상태로 메모리 어레이의 메모리 셀들의 그룹을 동적으로 배치시키기 위한 로직을 포함한다. 메모리 어레이는, 선택된 메모리 셀들 상에서의 판독 또는 기입 액세스 동작들 동안 메모리 셀들의 선택된 그룹을 동적으로 인에이블링시키기 위한 로직을 더 포함하며, 여기서, 대응하는 판독 또는 기입 비트라인들은 각각의 판독 또는 기입 동작들 이전에 및 그 이후에 사전충전된다.</p> |
