发明名称 用于测定由污染材料所添加至高纯度矽中之杂质之量的方法
摘要
申请公布号 TWI491768 申请公布日期 2015.07.11
申请号 TW098133306 申请日期 2009.09.30
申请人 汉洛克半导体公司 发明人 迪霈沙 丹尼司;后斯特 琼;哈梭福 特洛伊;瑞陶司基 爱伦
分类号 C30B31/02;G01N30/72 主分类号 C30B31/02
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种测定在加热过程中由包含杂质之污染材料所添加至高纯度矽中之杂质量的方法,该方法包括:测定该污染材料中之杂质含量;测定该高纯度矽中之杂质含量;提供将经测试之该污染材料,其中该污染材料为粉末、颗粒、圆柱体或大块或其任一组合;将该高纯度矽之样品封装在该污染材料内;防止源自炉材料组合物之杂质触及封装在该污染材料内之样品之任何部分,其中该污染材料包含与该炉材料组合物不同之材料组成;在一自该炉材料组合物形成之炉中加热该封装在该污染材料内之样品;及在加热该封装在该污染材料内之样品之后,测定该高纯度矽中由该污染材料所造成之杂质含量与加热该样品前之该高纯度矽中之杂质含量相比的变化。
地址 美国