横向扩散金属氧化物半导体电晶体及其制造方法

主权项

一种横向扩散金属氧化物半导体电晶体，包括：一第一导电类型的一第一阱；形成于该第一阱内的一第二导电类型的一源极；形成于该第一阱内并与该源极分开的该第二导电类型的一漂移区；形成于该漂移区内的该第二导电类型的一汲极；以及形成于该漂移区内并与该汲极分开的该第二导电类型的一集中器，该集中器至该源极的一第一距离小于该汲极至该源极的一第二距离。