半导体制造使用蚀刻机的吸附盘之气室结构

主权项

一种半导体制造使用蚀刻机的吸附盘之气室结构，系为半导体蚀刻制造时使用之静电吸盘，其中系包括：一静电盘本体，系为安置在一真空腔体内阴极上之吸附盘；一孔洞，系使氦气依沟槽流通至孔洞中；一内部通道，系连接该孔洞，并经由该静电盘本体内部连通至该静电盘本体之另一面；一聚醯亚胺铜箔层，系覆盖于吸附面上，并藉由直流电而产生静电，使该吸附盘增加吸附力。