发明名称 增进光及/或雷射烧结之缓冲层
摘要
申请公布号 TWI492303 申请公布日期 2015.07.11
申请号 TW099109236 申请日期 2010.03.26
申请人 应用奈米科技控股股份有限公司;石原药品股份有限公司 发明人 亚尼夫 立维;杨墨熹;拉斯登 彼得
分类号 H01L21/3205;H01L21/768 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种于基材上沈积导电性线路的方法,其包含:于该基材上涂覆具有低热导系数之材料层;在该具有低热导系数之材料层上沈积导电性墨液薄膜;及光烧结该导电性墨液之薄膜。
地址 日本