| 主权项 |
一种基板处理方法，处理被载置在载置台上之基板的基板处理方法，该载置台被施加第1频率的高频电力及高于上述第1频率之第2频率的高频电力，该基板系在被处理层上依序形成有下部光阻层、含矽的硬光罩层及上部光阻层的基板，其特征为：具有第1宽度缩小步骤，使用电浆缩小被形成在上述上部光阻层，并且使上述硬光罩层露出之第1开口部的宽度；第2宽度缩小步骤，经宽度被缩小之上述第1开口部而在上述硬光罩层形成使上述下部光阻层露出之第2开口部，并且使用电浆缩小该第2开口部的宽度；第3开口部形成步骤，经宽度被缩小之上述第2开口部而形成使上述被处理层露出的第3开口部；和第3宽度缩小步骤，使用电浆缩小该被形成之第3开口部的宽度，在上述第1宽度缩小步骤中，不对上述载置台施加上述第1频率之高频电力，仅施加上述第2频率之高频电力，从CF4气体及CH4气体之混合气体产生电浆，在上述第2宽度缩小步骤中，对上述载置台施加上述第1频率之高频电力及上述第2频率之高频电力，从至少含有CF4气体及CH4气体之混合气体产生电浆，在上述第3宽度缩小步骤中，不对上述载置台施加上述第1频率之高频电力，仅施加上述第2频率之高频电力，从至少含有C4F8气体之混合气体产生电浆，
在上述第1宽度缩小步骤中，上述CF4气体之流量为100sccm~500sccm，上述CH4气体之流量为20sccm~30sccm。 |
