半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置之制造方法，包含下列步骤：提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一主表面，且该半导体基板于邻近该第一主表面之一侧具有复数个掺杂区；形成一第一氧化层于该第一主表面上，其中该第一氧化层之厚度小于5奈米；形成一第一金属图案层于该第一氧化层上，该第一金属图案层投影至该第一主表面之图案形状包含于该些掺杂区组成之一区域内，其中该第一金属图案层之厚度介于15奈米至20奈米之间；形成一第二氧化层覆盖该第一氧化层及该第一金属图案层，其中该第二氧化层之厚度介于10奈米至20奈米之间；以及利用一电镀制程直接形成图案形状对应于该第一金属图案层之一第二金属图案层于该第二氧化层上。