发明名称 基材的处理方法、积层体以及半导体装置
摘要
申请公布号 TWI492273 申请公布日期 2015.07.11
申请号 TW102115934 申请日期 2013.05.03
申请人 JSR股份有限公司 发明人 高桥诚一郎;后藤宏文
分类号 H01L21/027;H01L21/304 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种基材的处理方法,其依序包括:(1)介隔暂时固定材而将基材暂时固定于支撑体上,藉此而获得中央部分(A)被所述支撑体、外周部分(B)及所述基材覆盖之积层体的步骤,所述暂时固定材包含具有2层以上之层之所述中央部分(A)与耐溶剂性优异之所述外周部分(B),所述外周部分(B)与所述支撑体的基材侧之面的外周部、所述基材的支撑体侧之面的外周部相接,且所述中央部分(A)与所述支撑体的基材侧之面的外周部更内侧之中央部、所述基材的支撑体侧之面的外周部更内侧之中央部相接;(2)对所述基材进行加工及/或使所述积层体移动的步骤;(3)藉由溶剂使所述暂时固定材之至少所述外周部分(B)溶解的步骤;以及(4)藉由对所述暂时固定材之剩余部分进行加热而自所述支撑体上剥离所述基材的步骤。
地址 日本