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经营范围
发明名称
薄膜光电电池及其制造方法
摘要
申请公布号
TWI492398
申请公布日期
2015.07.11
申请号
TW101145396
申请日期
2012.12.04
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
李文钦;余良胜
分类号
H01L31/042;H01L31/18
主分类号
H01L31/042
代理机构
代理人
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
一种薄膜光电电池,包括:一第一电极层,形成于一基板上;一吸收层,形成于该第一电极层上,该吸收层具有一第一掺质类型,且该吸收层具有自该吸收层之一顶面处部分地延伸进入该吸收层内之一开口,而该开口具有复数个侧壁与一底面,且该开口的该些侧壁之一高度与该开口的该底面之一宽度之间具有介于0.01-2之一深宽比;一缓冲层,形成于该吸收层之一顶面、该开口之该些侧壁与该开口之该底面之上,该缓冲层具有一第二掺质型态;以及一第二电极层,形成于该缓冲层之上。
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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