| 发明名称 |
铜阳极或含磷之铜阳极、半导体晶圆之电镀铜方法及粒子附着少之半导体晶圆 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI492279 |
申请公布日期 |
2015.07.11 |
| 申请号 |
TW097140271 |
申请日期 |
2008.10.21 |
| 申请人 |
ＪＸ日鑛日石金属股份有限公司 |
发明人 |
相场玲宏;高桥佑史 |
| 分类号 |
H01L21/288;C25D7/12 |
主分类号 |
H01L21/288 |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
一种使用于半导体晶圆之电镀铜之含磷之铜阳极，其特征在于：不计磷之含磷之铜阳极的纯度在99.99wt%以上、99.997wt%以下，且杂质之矽之含量在10wtppm以下。
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| 地址 |
日本 |
